Параметр | Диапазоны измерения | Погрешность |
---|---|---|
Пост. напряжение | 200 мВ/2 В/20 В/200 В/600 В | |
±(0.7% + 2) | ||
Перем. напряжение | 200 мВ/2 В/20 В/200 В | ±(0.8% + 3) |
600 В | ±(1.0% + 3) | |
Пост. ток | 200 мкА/2 мА/20 мА/200 мА | ±(1.2% + 3) |
2 А/10 А | ±(2.0% + 10) | |
Перем. ток | 200 мкА/2 мА/20 мА/200 мА | ±(1.5% + 5) |
2 А/10 А | ±(3.0% + 10) | |
Сопротивление | 200 Ом | ±(1.0% + 3) |
2 кОм/20 кОм/200 кОм/2 МОм | ±(1.0% + 1) | |
20 МОм | ±(1.0% + 5) | |
Ёмкость | 20 нФ | ±(4.0% + 10) |
200 нФ/2 мкФ/20 мкФ/200 мкФ/1000 мкФ | ±(4.0% + 3) | |
Пост. ток (клещи-приставка) | 200 А/2000 А | ±(1.2% + 3) |
Перем. ток (клещи-приставка) | 200 А/2000 А | ±(1.5% + 3) |
Температура | -20℃~0℃/0℉~50℉ | ±(5.0% + 4) |
0℃~400℃/50℉~750℉ | ±(1.0% + 3) | |
400℃~1000℃/750℉~1800℉ | ±(2.0% + 3) | |
Диодный тест | Индицируется приближенное значение прямого падения напряжения на диоде | |
"Прозвонка" | При сопротивлении цепи менее 50 Ом, включается звуковой сигнал | |
hFE | Индицируется приближенное значение hFE (0-1000) проверяемого транзистора (любого типа) |
Погрешность определяется как ±(% от показания + число значений единицы младшего разряда).